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其他晶体管
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2011-05-21
VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点,尤其是其具有负的电流温度系数,即在栅-源电压不变的情况下,导通电流会随管温升高而减小,故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此,...
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2011-05-21
一、用指针式万用表对场效应管进行判别 (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电...
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2010-10-14
字面对自己,管脚朝下,从左到右:S、G、D(源、栅、漏).耐压50V,噪声系数:0.5db,低β管.
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2010-07-24
IRF730参数及应用电路图
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2010-07-20
9015是使用的非常多的PNP型硅小型三极管,在收音机电路中我们经常看到它,9015可用一般普通的PNP型三极管代换如A1015。 9015参数资料: 集电极电流Ic:Max -100mA 集电极-基极电压Vcbo:-50V 工作温度:-55℃ ...
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YH3144单极霍尔开关电路 YH3144E、YH3144L是由电压调整器,霍尔电压发生器,差分放大器,史密特触发器和集电极开路的输出级组成的磁敏传感电路,其输入为磁感应强度,输出是一个数字电压讯号。它是一种单磁极工...
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44E 型霍尔开关器件,引脚 1 接电源(电压 4.5V~24V) , 引脚 2 接地线,引脚 3 接为数字信号输出端接单片机.
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2010-04-29
  IRF740属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。  新系列的低电荷Power MOSFET IRF740LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的L...
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2010-03-20
引言 目前现售的高压功率MOSFET是一种N-沟道、增强型、双扩散、金属氧化硅场效应晶体管。它们和NPN双极型晶体管具有相同的功能,但前者采用电压控制的器件,而后者则是采用电流控制的双极型器件。我们将当今对MO...
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摘要:本文阐述了各安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理。讨论了短路持续时间Tsc和栅压Vg、集电极—发射极导通电压Vce(on)及短路电流Isc的关系。  1、 引言  半导体功率器件失效的原因多种多...
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2010-03-20
图1是一个典型的OTL电路,电路中的C1称为自举电容。它在电路中作用如何?为分析方便将图1简画成图2。  图2的电路中是没有C1的情况,在功放中各级的放大管总是考虑充分利用的,即在输入信号U1的作用下,放大管工作在...
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程控单结晶体管PUT(Programmable Uniguction Tr-ansistor),又称可编程单结晶体管或可调单结晶体管,程控单结晶体管实质上是一个N极门控晶闸管的功能,但因它与单结晶体管的用途相近,故纳入单结管之列。它与单结...
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2010-03-20
为了能够直观地认识晶闸管的工作特性,大家先看这块示教板(图)。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来,通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极,阴极K接电源的负极,控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(...
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双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ,在电路中作过压保护等用途。 图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的符号及等效电路,可等效于基极开路、...
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